搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子科学与技术 RF-1”相关记录16条 . 查询时间(0.071 秒)
Optimal Basis For Ultrasound RF Apertures: Applications to Real-Time Compression and Beamforming
ultrasound rf compression beamforming Karhunen-Loeve Transform 2D FFT
2014/12/8
Modern medical ultrasound machines produce enormous amounts of data, as much as several gigabytes/sec in some systems. The challenges of generating, storing, processing and reproducing such voluminous...
RF MEMS电容式开关结构层释放技术
RF MEMS 电容式开关 聚酰亚胺 释放
2014/4/23
研究了RF MEMS开关的制造工艺流程和聚酰亚胺牺牲层的去除工艺。在开关的设计和加工中采用在信号线两侧的地线上生长一层绝缘介质层，直流偏置线生成在绝缘介质层之上，与桥的锚点相连接，实现了交直流隔离。讨论了干法刻蚀和湿法刻蚀牺牲层技术。干法刻蚀容易造成绝缘介质层的刻蚀和损伤。采用湿法刻蚀结合临界点干燥技术，可以获得理想的微梁结构。通过测试，开关样品的下拉电压为34-40V，下拉距离为1.7μm±0....
适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感
微电感 MEMS 能量耦合 电镀
2014/5/14
利用MEMS微电镀工艺技术制作了一种新型的适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感，采用ANSOFT公司的HFSS优化平面螺旋电感的结构。在具有高电阻率的玻璃衬底上溅射0.5um的铜层作为下电极；PECVD淀积厚度为1umSiO2 作为中间介质层；在介质层上结合厚胶光刻技术电镀厚为22um的铜作为电感线圈。这套电感制作工艺流程简单、易于与IC制备工艺集成。本文制备的微机械电感在微型植入系统中具...
一种RF MEM电感及其LC低通滤波器的模拟和设计
平面MEM电感 LC低通滤波器 等效电路模型 MEMS
2014/5/14
本文模拟并设计了一种基于表面微机械加工的平面MEM电感，提出了它的等效电路模型并给出模型中参数的提取方法。由模拟结果验证了该等效电路具有较高的精度，误差在8%以内。设计的一个3.6nH的平面MEM电感的品质因数超过20，自谐振频率超过15GHz。由平面MEM电感构成的5阶LC低通滤波器的-3dB带宽为3.7GHz，0～3GHz内的插入损耗低于1dB。
一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关
RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式
2014/5/14
本文设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅（SiON）作为桥膜的双端固定桥式结构，并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导，1个输入端，4个输出端，4个静电驱动的侧拉桥，以及4个驱动引出区（pad）。测试数据表明，开关驱动电压18.8V；插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz，S31...
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力
2014/5/14
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲，从而提高所设计的开关的隔离度，克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同，解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB...
宽带直接接触式RF MEMS开关
射频微机电开关 直接接触式 宽带 宽驱动电压
2014/5/14
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关，包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区，兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关，使用低温表面微机械工艺，制作在400μm厚的高阻硅衬底上，芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明，在6GHz频点，开关本征损耗0.1dB，隔离度24.8dB，等效开关接触电阻0.6Ω，关态电容6.4f...
基于电磁带隙（EBG）技术的RF天线研究与开发
电磁带隙 EBG RF天线
2008/12/18
宽带无线通信移动终端平面天线属于无线通信技术的天线设计领域，其特征在于：天线结构印制在印刷电路板上，包括辐射单元、金属地和馈线，金属地是指印刷电路板两个面中不含天线的辐射单元的那个金属面，包括用来模拟无线通信系统中除天线外的其它部分的矩形金属贴片和一个T形金属贴片。辐射单元包括一个矩形金属贴片、一个三角形金属贴片、两个梯形金属贴片；辐射单元和馈线相连，馈线可以采用微带线也可以采用探针等其它形式，采...
RF MEMS开关吸合电压的分析
RF MEMS 开关
2008/10/22
吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数，针对RF MEMS开关，详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压. 对于执行电压是脉冲方式而言，开关梁受迫振动，不同于准静态方式，此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压，计算表明比准静态吸合电压小8%. 通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式，详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压. 分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响，阻尼使得开关的...
光阴极RF腔注入器中激光脉冲的时间抖动
光阴极RF腔注入器 光阴极 时间抖动
2008/4/30
介绍光阴极RF腔注入器中的驱动激光器，采用二极管泵浦的自锁模激光器，通过锁相，使输出激光脉冲的时间抖动小于2ps，实现激光脉冲同微波相位之间的严格同步，在实验上获得流强70A、能量2MeV、亮度4.4×1011A/(m2.rad2)的电子束。
Passive On-Chip Components for Fully Integrated Silicon RF VCOs
Passive On-Chip Components Integrated Silicon RF VCOs
2010/12/7
In this work integrated passive devices used in RF VCOs are presented. The operation of on-chip inductors and variable capacitors is outlined along with simple electrical equivalent circuits suitable ...
Development of Broadband Low Actuation Voltage RF MEM Switches
RF MEM space-based reconfigurable antenna integrated circuit applications
2010/12/7
Low insertion loss, high isolation RF MEM switches have been thought of as one of the most attractive devices for space-based reconfigurable antenna and integrated circuit applications. Many RF MEMS s...
Material Characterization of High Dielectric Constant Polymer–Ceramic Composite for Embedded Capacitor to RF Application
Embedded capacitor Integral passives Polymer–ceramic nano-composite Breakdown voltage Leakage current High dielectric constant RF frequency
2010/12/7
Embedded capacitor technology can improve electrical performance and reduce assembly cost compared with traditional discrete capacitor technology. Polymer–ceramic composites have been of great interes...
The Potential of Reactively RF Sputtered ZnO Thin Films for the Fabrication of Microwave Filters
Zinc oxide Overmoded resonator Piezoelectric filters BAW
2010/12/8
The piezoelectric properties of reactively sputtered ZnO thin films deposited on glass and silicon substrates were studied in order to assess their potential for the construction of RF overmoded filte...
Influence of Thermal Treatment on The Electronic Properties of ITO Thin Films Obtained by RF Cathodic Pulverization. Study of Solar Cells Based on Silicon/(RF Sputtered) ITO Junctions
ITO Thin Films RF Cathodic Pulverization Solar Cells Silicon/(RF Sputtered) ITO Junctions
2010/12/16
ITO (Indium Tin Oxide) thin films obtained by R.F cathodic sputtering have been studied. The influence of thermal treatment on the electronic properties of the films has been particularly investigated...