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本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究
COMS反相器 低频噪声 可靠性 缺陷
2016/12/24
为了表征CMOS反相器的可靠性，从其负载电流和输出电压的特性入手，详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型，并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知，负载电流功率谱密度随频率的增加而减小，遵循1/f噪声的变化规律；得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系，验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性，证明了噪声幅值越大，器件...