工学 >>> 电子科学与技术 >>> 电子技术 光电子学与激光技术 半导体技术 电子科学与技术其他学科
搜索结果: 1-4 共查到电子科学与技术 电路级相关记录4条 . 查询时间(0.135 秒)
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法,该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同,总剂量辐射损伤特性不同,进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态,计算晶体管总剂量辐射损伤,实现电路总剂量辐射效应...
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电...
期刊信息 篇名 铁电液晶光电响应特性的电路级模拟 语种 中文 撰写或编译 作者 潘炜,张晓霞,罗斌,陈建国 第一作者单位 刊物名称 电子学报 页面 30(5): 708~710, 2002 出版日期 2002年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 垂直腔中载流子输运性质及低维系统的动力学仿真研究
期刊信息 篇名 基于电路级模型的二维铁电液晶系统结构参数研究 语种 中文 撰写或编译 作者 潘炜,张晓霞,罗斌,刘永智 第一作者单位 刊物名称 光学技术 页面 29(5): 541~543.548, 出版日期 2003年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 垂直腔中载流子输运性质及低维系统的动力学仿真研究

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...