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基于Gibbs自由能最小原理,对SiHCl3法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算,重点对SiHCl3还原反应子系统进行了热力学分析. 对于SiHCl3还原反应子系统,适宜的操作温度为1323~1473 K,压力为0.1 MPa;温度高于1323 K,H2/SiHCl3比大于6.6,低压下有利于SiHCl3还原生产多晶硅. 针对传统的SiHCl3还原需要高温下电加热给...
采用特效催化反应、高效精馏和特种装置设备等技术制造出电子级氯化氢产品。该产品用于大规模集成电路芯片制造。经国内用户试用及与国外知名品牌氯化氢产品分析对比,其主要性能指标与国外同类产品相当,填补了中国电子级氯化氢产品生产的空白。该产品原料来源充足,供应可靠,生产线装置运行连续稳定,产品的主要技术指标具有可靠的检测手段,符合环保要求。技术路线科学、合理、先进,工艺参数稳定,具有自主的知识产权。关键技术...

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