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中国科学技术大学在高选择性室温半导体传感器研发方面取得重要进展(图)
高选择性 室温 半导体传感器
2024/3/4
武汉大学工业科学研究院(ITS)赵焱教授课题组在新型室温NO2气体传感器取得重要进展,研究成果发表于国际期刊《ACS Applied Nano Materials》。题为“Zn–Co Zeolitic Imidazolate Framework Nanoparticles Intercalated in Graphene Nanosheets for Room-Temperature NO2 Se...
科学家找到在室温下将可穿戴传感器直接打印在皮肤上的方法(图)
柔性电子技术 可穿戴传感器 聚乙烯醇糊剂 碳酸钙
2021/9/2
据外媒报道,柔性电子技术为可穿戴传感器的应用提供了一些有趣的可能性。可穿戴传感器可以被做成类似于纹身、用于监测人体健康各个方面的胶片和袖套。宾夕法尼亚州立大学的科学家们现在已经开发出了一种可以直接打印在皮肤上的安全装置,它可以追踪体温和血氧水平等信息,一旦工作完成上面的信息就会被清除掉。
表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性
H2S气体传感器 SiC 硅纳米孔柱阵列 高温碳化
2014/4/24
通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为~200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征。对浓度介于0-1200 ppm 的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S...
室温工作HSGFET高灵敏度03传感器的研究
传感器 HSGFET 室温工作
2008/9/11
本研究利用气敏场效应和敏感膜与O3作用引起膜材料功函数变化的机制,研究室温下对O3有高灵敏度响应的HSGFET(Hybrid Suspened Gate FET)型半导体O^3传感器。悬浮栅与FET转换器分别制作与测量,然后合二为一成传感器。研究了多种结构的悬浮栅和多种不同组分敏感膜及其特性,并组合成多种不同结构的HSGFET型O3传感器。该传感器在20-31℃的工作温度范围内,对O3的响应灵敏度...
室温工作FET型高灵敏度半导体0^3传感器的研究
传感器 半导体 室温工作
2008/9/1
由南开大学信息技术科学学院研制的FET型O^3传感器具有小型、固态、有源、抗干扰性好等特点。由于采有复合悬浮栅结构,实现了双敏感膜与纳米多组分多孔膜的制作,使传感器在室温下对O^3具有高灵敏响应。由测量结果表明,传感器在20-30℃的工作温度范围内,对O^3的响应灵敏度达到 75μV/ppb 以上(双敏感膜的更高),响应范围为0-1ppm,线性响应范围可达0-400ppb,吸附响应时间可达10s。...
以LaF3为基材的室温氧传感器初探
2007/7/28
期刊信息
篇名
以LaF3为基材的室温氧传感器初探
语种
中文
撰写或编译
作者
刘志刚
第一作者单位
刊物名称
传感技术学报
页面
1997,Vol.10,No.3,57-64
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
EIS并列型光寻址半导体体液分析传感器的研究