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本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分，在航天应用中需要有良好的抗辐射能力。阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory，RRAM）是一种新型的非易失性半导体存储器，性能优良，但对其辐射效应的研究较少。本文侧重于在理论分析的基础上，结合60Coγ射线辐照试验得到的结果对RRAM的总剂量效应失效机理进行分析研究。首先，通过对RRAM中单个MOS（Metal-Oxide-Sem...
EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应
电离辐射 微处理器 功耗电流 电平漂移
2011/8/19
建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统，利用60Co源在20 rad（Si）/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值，得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律，从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理，对抗辐射加固设计有重要意义。
54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
54HC CMOS 脉冲总剂量损伤 效应损伤因子
2011/8/22
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点，开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Co γ总剂量效应损伤异同性研究，获取器件效应损伤因子，以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明，无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究，稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照，即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加...
不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应
60Coγ 剂量率 双极数模转换器
2009/11/3
为探索电离辐射对数模混合电路的影响，对国产10位双极D/A转换器在60Coγ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明：D/A转换器对辐照剂量率十分敏感，在大剂量率辐照时，电路功能正常，各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下，各参数变化显著，电路功能出现异常，表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后，结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。
不同设计参数MOS器件的射线总剂量效应
MOS晶体管 辐射效应 总剂量
2009/1/16
采用非加固工艺，通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件，可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验，分别对比了不同宽长比（W/L）NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明，总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感；总剂量辐照...
剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响
功率MOSFET器件 γ射线 剂量率 总剂量效应
2009/1/16
选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV2N6798和JANTXV2N7261为研究对象，就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中，选取钴-60γ射线，以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究，获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明，低剂量率更易引起器件损伤。