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搜索结果: 1-9 共查到核科学技术 X射线辐照相关记录9条 . 查询时间(0.184 秒)
本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备,该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成,该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测;并实现辐照测试的一体化、操作的自动化,可显著提高辐照与测试的稳定性...
本发明涉及用于元器件电离辐照X射线辐照方法,该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成,该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调,且可以去除低能散射对辐照结果的影响,为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件,对提升电子元器件抗辐射加固的...
相变材料Ge2Sb2Te5由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用。在航空航天、安检扫描等一些特定环境中,X射线辐照会使得相变材料发生结构和性能的变化,研究Ge2Sb2Te5在X射线辐照下的结构变化就非常必要。对Si衬底上50 nm厚的Ge2Sb2Te5薄膜材料采用X射线进行不同时间的照射,并利用高分辨率X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spec...
为研究锆英石对三价锕系核素的固化效果及抗γ射线辐照稳定性,以Eu3+模拟三价锕系核素,ZrO2、SiO2和Eu2O3粉体为原料设计了包容量为25%~10%(摩尔分数)的锆英石固化体配方,在1 500 ℃条件下保温22 h进行固化体的制备,通过60Co源γ射线辐照装置对固化体进行γ射线辐照实验。利用X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对所制备固化体及经γ射线辐照后固化体的物相、结构及微观形...
采用数值模拟方法对软X射线辐照LY12铝引起的汽化冲量进行了研究,提出了两种汽化冲量的计算方法,得到了汽化冲量随X射线初始能注量的变化规律。计算结果表明:对于1 keV软X射线,LY12铝的汽化冲量随着能注量的增大而线性增大。计算结果与一些经验公式的计算结果以及实验结果较为吻合。通过对∑miui和∑pg(t)Δt两种方法计算原理的分析和对各计算量的监控表明:两种方法均能较...
文章涉及γ射线辐射预处理麦秸的辐照效应及辐照后效应研究。实验结果表明,辐照预处理能明显破坏麦秸的结构。随辐照剂量增加,麦秸质量损失增大,粒度分布向细颗粒方向迁移。辐照与粉碎结合预处理有明显的协同效应,较适宜的预处理条件为500kGy、粒度为0.109mm,葡萄糖得率为10.2%。辐照后效应对麦秸酶解产糖有明显的影响,以50、100、200、300和400kGy辐照的麦秸酶解,其辐照后效应与初始效...
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件(CCD),对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及光响应灵敏度等参数的变化。结果表明,CCD辐照过程中产生的氧化物电荷和界面态导致了CCD参数在室温和高温退火中的不同表现。
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化,最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了...
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明,强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除...

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