搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子科学与技术 电子器件”相关记录24条 . 查询时间(0.455 秒)
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心面研制了硅激光器阵列、硅基高速调制器阵列、硅基MUX、DEMUX、路由器和硅基锗探测器阵列，初步探索了基于CMOS技术的硅光芯片上的多功能器件集成技术，研制了硅基混合集成宽带高速光访存芯片；基于光子态电子态联合调控新原理新方案，发展了光子晶体半导体激光的全套具有自主知识产权的技术体系，应用光子晶体激光器开发的激光微推进器系统将于年底在微小卫星上完成搭...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心探究并掌握了集成芯片结构设计、制备工艺和高效封装及模块化技术，成功研制出以窄线宽半导体激光器、大功率低噪声光放大器、宽带高饱和功率探测器为代表的十余款高性能光电子集成器件产品。相关研究成果成功应用于“实践十三号卫星”、“北斗三代导航星间激光链路”、“高分多模卫星”和“片上雷达”等十余项国家级重要型号和重点任务，为国家相关重大工程的顺利实施提供了自主可...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点，承接多项国家重点研发计划，在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料，波长<280nm的深紫外LED，输出光功率超过110mW，开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组，推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
2022/10/4
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制，针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求，突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术，实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障，为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。
微/纳尺度高功率电子器件产热与传热特性
高功率场效应晶体管 多尺度格子-Boltzmann方法 电子声子耦合
2013/8/14
传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程, 此时器件中能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当, 甚至小于声子的特征时间尺度, 不能满足传统传热理论的假设. 本文针对微/纳尺度场效应晶体管的工作过程, 建立描述其内部产热及传热特性的多尺度格子-Boltzmann介观模型, 通过在模型中引入源项去描述器件内部电子和声子的相互作用, 分析计算...
电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法
电子器件的噪声 时间序列分析 高阶统计量
2009/12/9
基于高阶统计量理论，采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析．通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号，给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准．将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析，表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号，并可以用该方法进行有效区分．研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据．
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
脉冲宽度 辐射效应 剂量率
2009/9/29
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150 ns，剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
显微云纹技术在微电子器件力学测量中的应用
云纹法 微电子器件
2013/10/17
电子工业的不断发展促进了电子器件的微小型化，作为新型产品设计基础的微电子器件可靠性分析成为人们非常关注的问题. 力学参数的测量可以为可靠性评价提供有价值的实验依据. 概括总结了显微云纹技术的发展，主要介绍了云纹干涉法和扫描显微镜云纹方法及其在微电子器件全场变形场测量中的应用.
微电子所在有机电子器件研究方面取得新进展
电子器件 研究方面 进展
2011/11/4
在中国科学院、国家自然科学基金委、国家科技部的支持下，微电子所微细加工与纳米技术研究室刘明研究员领导的有机分子电子器件小组长期以来致力于分子电子学中的基本问题的研究，近期在高性能有机场效应晶体管方面取得了最新的研究进展。相关研究成果发表在2009年6月29日的英国皇家学会的知名期刊材料化学（Journal of Materials Chemistry. 2009, advanced article...
太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述
真空电子器件 高功率微波 太赫兹源
2009/4/22
太赫兹真空电子器件具有输出功率高、可在常温下工作等优点，它在军用、民用领域有着广泛的应用前景。本文介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状，并对其今后发展趋势作了相应的评述。
高频通讯电子器件的微波模块的设计和开发
高频通讯 微波集成电路
2008/11/19
成果的主要内容是设计开发高频通讯用的微波集成电路，如放大器和混频器等。24GHz Mixer 芯片：高频通讯用24G微波集成电路（MMIC）混频器的设计、仿真、流片、和测试，芯片利用的是GaAs PHEMT技术，带有集成的LO放大器。功率放大器芯片：主要技术内容是利用先进的砷化镓芯片工艺生产线提供的双极性晶体管（HBT）以及异质结高速场效应管（PHEMT）工艺条件，自主设计开发微波集成电路（MM...