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EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应
电离辐射 微处理器 功耗电流 电平漂移
2011/8/19
建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统，利用60Co源在20 rad（Si）/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值，得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律，从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理，对抗辐射加固设计有重要意义。
单片机系统在核电磁脉冲辐照下的效应研究
核电磁脉冲 单片机系统 辐照效应
2009/2/19
核电磁脉冲（NEMP）、雷电电磁脉冲（LEMP）和高功率微波（HPM）等强电磁脉冲对单片机系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究它们对单片机系统的各种效应，利用GTEM室产生的核电磁脉冲，对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明，单片机系统在强电磁脉冲作用下，会出现“死机”、重启动、通讯出错等现象。基于实验，讨论了单片机系统的各种效应产生的原因。
X射线不同方向辐照80C196KC20单片机研究
X射线辐照 80C196KC20单片机 总剂量效应 衰减
2008/6/30
为明确X射线不同方向入射对器件的影响，利用中国测试技术研究院的直流SJ-A X光机产生的X射线，从与垂直80C196KC20单片机表面不同方向角度对单片机进行辐照试验。试验结果显示，随着辐照角度由0°增加到90°，单片机所受的影响逐渐减小，90°时最不明显，表明此种单片机外壳在对其X射线总剂量效应的影响最大，原因在于X射线在不同方向照射时，需要穿过不同厚度的封套材料，X射线在此过程受到的衰减不同。...