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2011年1月14日上午,中共中央、国务院在北京隆重举行2010年度国家科学技术奖励大会,胡锦涛等党和国家领导人出席大会并为获奖代表颁奖。中科院长春应用化学研究所张洪杰、武志坚、张思远、苏锵为主要完成人的“新型稀土杂化及纳米复合光电功能材料的基础研究及应用探索”项目获国家自然科学奖二等奖。
低维碳纳米材料的发现或合成,重新引起了人们对碳材料的巨大研究兴趣,加快了纳米材料和技术的发展。自2004年英国Manchester大学A.K.Geim组用力学剥离方法制备出石墨烯(Graphene)材料后,Graphene优异性能被陆续揭示,成为目前室温导电速度最快、力学强度最大、导热能力最强的材料,有望在纳电子学、能源、环境、生物医学等领域得到应用。然而,由于特殊的零带隙线性能带色散关系,Gra...
从紫外-可见光谱(UV-Vis)、光致发光谱(PL)、X射线衍射(XRD)图及太阳电池性能等方面, 分析了热处理对聚噻吩P3HT(poly(3-hexylthiophene))与C60的衍生物PCBM([6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester)共混体系光电性能的影响. 紫外可见光谱表明,热处理使P3HT颐PCBM 共混体系所成膜的吸收峰增强并红移. 光致...
以金属钛为靶材、O2/N2/Ar混合气氛为溅射气体, 在导电玻璃(ITO)表面磁控溅射一层薄膜, 再经300-500 ℃退火处理制备了氮掺杂TiO2薄膜. 采用X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见吸收光谱等对薄膜的微观结构、光学特性和光电化学性能等进行了研究. 进而采用化学沉积的方法在TiO2-xNx薄膜表面沉积上一层多孔NiO薄膜, 研究表明, 制备...
在室温下采用射频磁控溅射法制备了纳米晶粒的TiO2薄膜,用循环伏安法研究了ITO/TiO2薄膜电极的光电化学行为,并测量了相应TiO2薄膜的亲水性与光催化能力.结果表明,在室温下制备的TiO2薄膜为无定形结构,当退火温度超过400 ℃时转化为锐钛矿结构.在400 ℃下退火的TiO2薄膜具有良好的亲水性和光催化能力. TiO2薄膜电极用254 nm的紫外光照射一定时间后会产生新的氧化峰,且随着光照时...
采用密度泛函理论(DFT)-B3LYP/6-31G(d)方法对9,9'-螺双芴低聚物[(SBF)n(n=1-4)]体系进行全优化, 得到各分子的最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)能量及HOMO-LUMO能隙, 结果表明各分子整体表现出很好的共轭性质. 并在分子的阳离子和阴离子状态的优化结构基础上, 计算得到电离能(IP)、电子亲和势(EA)、空穴抽取能(HEP)、电子抽取能(EEP)...
光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩(ITO/ P3HT)膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)复合膜的光电转换性质. 结果表明, P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV, 价带位置为-5.4 eV. 在ITO/TiO2/ P3HT复合膜电极中存在p-n异质结, 在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离. P3HT修饰ITO/TiO...
以多孔的铝阳极氧化膜(AAO)为模板制备了直径约为80 nm聚吡咯(PPy)纳米线的阵列电极, 并研究了它的光电化学响应. 结果表明, 在电极电位低于-0.1 V(vs Ag/AgCl)时出现的阴极光电流是由聚吡咯纳米线的p型半导体性质引起的, 其平带电位为-0.217 V. 聚吡咯纳米线的长度对光电流的影响较大, 最佳长度为42 nm. 这是因为在很短的聚吡咯纳米线阵列中PPy太少, 产生的光电...
采用水热法制备了钛酸盐纳米管, 并用TEM、XRD、XPS对其进行了表征. 纳米管管径在5~30 nm之间, 管长约为0.1~1 μm, 具有不同于锐钛矿型的钛酸盐结构, 分子组成可能是Na4-xHxTi2O5. 将钛酸盐纳米管制备成纳米管结构电极, 并进行了光电化学研究. 钛酸盐纳米管产生阳极光电流, 具有n型半导体特性.
以钛基TiO2薄膜为光阳极,研究了光电化学电池中阳极光催化降解偶氮染料甲基红的动力学. 结果表明,短接光电化学电池分隔了光催化过程的阴、阳极反应,有利于抑制光生载流子的复合,提高光催化氧化速率. 相同实验条件下短路光电流越大,则甲基红降解速率越高. 在基底和TiO2薄膜之间夹层SnO2得到组装电极Ti/SnO2/TiO2,进一步提高了光生载流子的分离效率;同时采用电化学阻抗谱(EIS)评价了电极的...
氧化铁超微粒的光电化学特性。
用动电位扫描和η(量子效率)~hv关系研究了钢电极在含或不含氯离子的硼砂-硼酸缓冲溶液中的电化学和光电化学行为.当溶液中不含氧离子时,铜电极呈p型光响应;相当量的氯离子存在时,光响应从p型转变为n型. 研究表明p→n的转型不是由于电极表面生成了化合物CuCl,而应归因于氯离子对Cu2O膜的掺杂.
铜在3%NaCl溶液中腐蚀行为的光电化学研究。

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